Ядро RV630
Техпроцесс (мкм) 0.065
Транзисторов (млн) 390
Частота работы ядра 600
Частота работы памяти (DDR) 500 (1000)
Шина и тип памяти GDDR2-3 128 Bit
ПСП (Гбс) 16
Унифицированные шейдерные блоки 120
Частота унифицированных шейдерных блоков 600
TMU на сборочный поток 8
ROP 4
Текстур за такт 8
Текстур за проход 8
Shaders Model 4.0
Fill Rate (Mpixs) 2400
Fill Rate (Mtexs) 4800
DirectX 10.0
Anti-Aliasing (Max) MS-24x
Анизотропная фильтрация (Max) 16x Quality
Объем памяти 256
Интерфейс PCI-EAGP
RAMDAC 2x400